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UCC21759QDWRQ1 参数 Datasheet PDF下载

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型号: UCC21759QDWRQ1
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内容描述: [适用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有 DESAT 和内部钳位的汽车类 3.0kVrms、±10A 单通道隔离式栅极驱动器 | DW | 16 | -40 to 150]
分类和应用: 栅极驱动双极性晶体管驱动器
文件页数/大小: 57 页 / 2481 K
品牌: TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]
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UCC21759-Q1  
SLUSEB4A – AUGUST 2020 – REVISED DECEMBER 2020  
www.ti.com  
2.7  
2.4  
2.1  
1.8  
1.5  
1.2  
0.9  
0.6  
90  
84  
78  
72  
66  
60  
54  
Thermal Diode VAIN  
NTC VAIN  
Thermal Diode APWM  
NTC APWM  
48  
20  
40  
60  
80  
Temperature (èC)  
100  
120  
140  
VAIN  
Figure 9-9. Thermal diode and NTC VAIN and Corresponding Duty Cycle at APWM  
The duty cycle output has 3% variation throughout temperature without any calibration from 0.6V to 2.5V at  
VAIN, as shown in Figure 9-10 but with single-point calibration at 25°C, the duty accuracy can be improved to  
1%, as shown in Figure 9-11.  
1.5  
Thermal Diode APWM Duty Error  
NTC APWM Duty Error  
1.25  
1
0.75  
0.5  
0.25  
0
-0.25  
20  
40  
60  
80  
Temperature (èC)  
100  
120  
140  
APWM  
Figure 9-10. APWM Duty Error Without Calibration  
Copyright © 2020 Texas Instruments Incorporated  
44  
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