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MS18R1624DH0-CN9 参数 Datasheet PDF下载

MS18R1624DH0-CN9图片预览
型号: MS18R1624DH0-CN9
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内容描述: [Rambus DRAM Module, 64MX18, 32ns, CMOS, SORIMM-160]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 14 页 / 238 K
品牌: SAMSUNG [ SAMSUNG ]
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MS18R1622(4/8)DH0  
SO-RIMM Module Current Profile  
Table 7 : SO-RIMM Module Current Profile  
288MB  
8
144MB  
4
72MB  
2
SO-RIMM Module Capacity  
Number of 288Mb RDRAM devices  
SO-RIMM module power conditions a  
IDD  
Unit  
Freq.  
Max  
Max  
Max  
-1066  
-800  
728  
588  
712  
572  
704  
564  
800  
640  
850  
680  
794  
624  
890  
700  
940  
740  
One RDRAM device in Readb, balance in NAP  
mode  
IDD1  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
mA  
-1066  
-800  
1400  
1120  
1750  
1400  
818  
1000  
800  
One RDRAM device in Readb, balance in Standby  
mode  
IDD2  
IDD3  
IDD4  
IDD5  
IDD6  
-1066  
-800  
1150  
920  
One RDRAM device in Readb, balance in Active  
mode  
-1066  
-800  
802  
One RDRAM device in Write, balance in NAP  
mode  
648  
632  
-1066  
-800  
1490  
1180  
1840  
1460  
1090  
860  
One RDRAM device in Write, balance in Standby  
mode  
-1066  
-800  
1240  
980  
One RDRAM device in Write, balance in Active  
mode  
a. Actual power will depend on memory controller and usage patterns. Power does not include Refresh Current.  
b. I/O current is a function of the % of 1s, to add I/O power for 50% 1s for X18 ECC module for the following: V = 2.5V, V  
= 1.8V, V  
REF  
=
DD  
TERM  
1.4V and V  
= V  
- 0.5V.  
REF  
DIL  
Rev. 1.0 July 2002  
Page 7  
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