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MS18R1624DH0-CN9 参数 Datasheet PDF下载

MS18R1624DH0-CN9图片预览
型号: MS18R1624DH0-CN9
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内容描述: [Rambus DRAM Module, 64MX18, 32ns, CMOS, SORIMM-160]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 14 页 / 238 K
品牌: SAMSUNG [ SAMSUNG ]
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MS18R1622(4/8)DH0  
AC Electrical Specifications for SO-RIMM Modules  
Table 10: AC Electrical Specifications for SO-RIMM Modules  
SO-RIMM Module Capacity  
Number of 288Mb RDRAM devices  
288MB  
8
144MB  
4
72MB  
2
Symbol  
Unit  
Parameter and Condition for SO-RIMM modules  
Freq.  
-1066  
Max  
Max  
Max  
1.32  
1.32  
17.0  
16.0  
4.0  
1.06  
1.06  
17.0  
16.0  
4.0  
1.06  
1.06  
17.0  
16.0  
4.0  
TPD  
Propagation Delay, all RSL signals  
Attenuation Limit  
ns  
%
%
%
-800  
-1066  
-800  
Vα/VIN  
VXF/VIN  
VXB/VIN  
RDC  
-1066  
-800  
Forward crosstalk coefficient (300ps input rise time  
@ 20%-80%)  
4.0  
4.0  
4.0  
-1066  
-800  
2.0  
2.0  
2.0  
Backward crosstalk coefficient (300ps input rise time  
@ 20%-80%)  
2.0  
2.0  
2.0  
-1066  
-800  
1.4  
0.9  
0.9  
DC Resistance Limit  
1.4  
0.9  
0.9  
Rev. 1.0 July 2002  
Page 9  
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