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    SI4410DY 参数 Datasheet PDF下载

    SI4410DY图片预览
    型号： SI4410DY
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    内容描述： N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET [N-channel TrenchMOS logic level FET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 12 页 / 355 K
    品牌： PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号SI4410DY的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SI4410DY的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SI4410DY的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SI4410DY的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SI4410DY的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SI4410DY的Datasheet PDF文件第7页浏览型号SI4410DY的Datasheet PDF文件第8页浏览型号SI4410DY的Datasheet PDF文件第9页  
    恩智浦半导体
    SI4410DY
    N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
    5.热特性
    表5 。
    符号
    R
    日（J -SP ）
    R
    号（j -a）的
    热特性
    参数
    从热阻
    结点到焊点
    热阻从安装在印刷电路板上;
    结到环境
    最小的足迹; TP
    ≤
    10 s;
    SEE
    图4
    条件
    民
    -
    -
    典型值
    -
    -
    最大
    -
    50
    单位
    K / W
    K / W
    10
    2
    03ad49
    第Z （ J- AMB ）
    （K / W）
    10
    δ
    = 0.5
    0.2
    0.1
    0.05
    0.02
    1
    10
    −1
    单脉冲
    P
    δ
    =
    t
    p
    T
    t
    p
    T
    t
    10
    −2
    10
    −4
    10
    −3
    10
    −2
    10
    −1
    1
    10
    10
    2
    t
    p
    (s)
    10
    3
    图4 。
    从结瞬态热阻抗焊接点作为脉冲持续时间的函数
    SI4410DY_3
    © NXP B.V. 2009保留所有权利。
    产品数据表
    牧师03 - 2009年12月4日
    4 12

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