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    SI4410DY 参数 Datasheet PDF下载

    SI4410DY图片预览
    型号： SI4410DY
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    内容描述： N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET [N-channel TrenchMOS logic level FET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 12 页 / 355 K
    品牌： PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号SI4410DY的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SI4410DY的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SI4410DY的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SI4410DY的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SI4410DY的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SI4410DY的Datasheet PDF文件第7页浏览型号SI4410DY的Datasheet PDF文件第8页浏览型号SI4410DY的Datasheet PDF文件第9页  
    恩智浦半导体
    SI4410DY
    N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
    120
    I
    DER
    (%)
    80
    03aa19
    120
    P
    DER
    (%)
    80
    03aa11
    40
    40
    0
    0
    50
    100
    150
    200
    T
    AMB
    (°C)
    0
    0
    50
    100
    150
    200
    T
    AMB
    (°C)
    图1 。
    标准化的连续漏极电流为
    环境温度的函数
    图2 。
    归一化的总功耗为
    环境温度的函数
    03ae23
    10
    2
    I
    D
    (A)
    10
    R
    DSON
    = V
    DS
    /I
    D
    t
    p
    = 10 µs
    1毫秒
    10毫秒
    1
    P
    δ
    =
    t
    p
    T
    100毫秒
    特区
    10
    −1
    t
    p
    t
    T
    10 s
    10
    −2
    10
    −1
    1
    10
    V
    DS
    (V)
    10
    2
    图3 。
    安全工作区;连续和峰值漏电流与漏源电压的函数
    SI4410DY_3
    © NXP B.V. 2009保留所有权利。
    产品数据表
    牧师03 - 2009年12月4日
    3 12

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