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SI4410DY图片预览
型号: SI4410DY
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内容描述: N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET [N-channel TrenchMOS logic level FET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 12 页 / 355 K
品牌: PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
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恩智浦半导体
SI4410DY
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
50
I
D
(A)
10 V
5V
03ad50
50
I
D
(A)
40
V
DS
& GT ;我
D
个R
DSON
03ad52
3.8 V
3.6 V
3.4 V
40
30
3.2 V
30
20
3V
2.8 V
V
GS
= 2.6 V
20
10
10
T
j
= 150
°C
25
°C
0
0
0
0.5
1
VDS ( V)
1.5
0
1
2
3
V
GS
(V)
4
图5 。
输出特性:漏极电流为
漏极 - 源极电压的函数;典型值
03aa36
图6 。
传输特性:漏极电流为
栅极 - 源极电压的函数;典型值
03ad54
10
-1
I
D
(A)
10
-2
10
4
C
(PF )
10
-3
10
-4
C
OSS
典型值
最大
10
3
C
国际空间站
10
-5
C
RSS
10
-6
0
1
2
V
GS
(V)
3
10
10
−1
1
10
V
DS
(V)
10
2
图7 。
亚阈值漏电流的函数
栅源电压
图8 。
输入,输出和反向传输电容
作为漏极 - 源极电压的函数;典型
SI4410DY_3
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牧师03 - 2009年12月4日
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