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型号: SI4410DY
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内容描述: N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET [N-channel TrenchMOS logic level FET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 12 页 / 355 K
品牌: PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
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恩智浦半导体
SI4410DY
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
2.5
V
GS ( TH)
(V)
2
最大
03aa33
0.03
R
DSON
(Ω)
T
j
= 25
°C
V
GS
= 3.2 V
3.4 V
03ad51
3.6 V 3.8 V
0.02
1.5
典型值
4.5 V
5V
1
0.01
10 V
0.5
0
-60
0
0
60
120
T
j
(
°
C)
180
0
10
20
30
40
I
D
(A)
50
图9 。
栅极 - 源极阈值电压的一个函数
结温
2
a
1.5
03ad57
图10.漏源通态电阻为一个函数
漏电流;典型值
10
V
GS
(V)
8
03ad55
ID = 10 A
VDD = 15 V
TJ = 25℃
6
1
4
0.5
2
0
−60
0
0
60
120
T
j
(°C)
180
0
10
20
30
Q
G
( NC )
40
图11.归漏极 - 源极导通电阻
因子作为结温的函数
图12.栅极 - 源极电压作为栅极的功能
充电;典型值
SI4410DY_3
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产品数据表
牧师03 - 2009年12月4日
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