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    SI4410DY 参数 Datasheet PDF下载

    SI4410DY图片预览
    型号： SI4410DY
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET [N-channel TrenchMOS logic level FET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 12 页 / 355 K
    品牌： PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号SI4410DY的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SI4410DY的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SI4410DY的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SI4410DY的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SI4410DY的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SI4410DY的Datasheet PDF文件第7页浏览型号SI4410DY的Datasheet PDF文件第8页浏览型号SI4410DY的Datasheet PDF文件第9页  
    恩智浦半导体
    SI4410DY
    N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
    2.管脚信息
    表2中。
    针
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    7
    8
    S
    S
    S
    G
    D
    D
    D
    D
    管脚信息
    符号
    描述
    来源
    来源
    来源
    门
    漏
    漏
    漏
    漏
    1
    4
    mbb076
    简化的轮廓
    8
    5
    图形符号
    D
    G
    S
    SOT96-1 （ SO8 ）
    3.订购信息
    表3中。
    订购信息
    包
    名字
    SI4410DY
    SO8
    描述
    塑料小外形封装; 8线索;体宽3.9毫米
    VERSION
    SOT96-1
    类型编号
    4.极限值
    表4 。
    符号
    V
    DS
    V
    GS
    I
    D
    极限值
    参数
    漏源电压
    栅源电压
    漏电流
    T
    AMB
    = 70 ℃;脉冲;
    SEE
    图1
    T
    AMB
    = 25°C ;脉冲;
    SEE
    图1
    和
    3
    I
    DM
    P
    合计
    峰值漏极电流
    总功耗
    t
    p
    ≤
    10微秒;牛逼
    AMB
    = 25°C ;脉冲;
    SEE
    科幻gure 3
    T
    AMB
    = 70 ℃;脉冲;
    SEE
    图2
    T
    AMB
    = 25°C ;脉冲;
    SEE
    图2
    T
    英镑
    T
    j
    I
    S
    储存温度
    结温
    源出电流
    T
    AMB
    = 25°C ;脉冲
    条件
    T
    j
    ≥
    25 ℃;牛逼
    j
    ≤
    150 °C
    民
    -
    -20
    -
    -
    -
    -
    -
    -55
    -55
    -
    最大
    30
    20
    8
    10
    50
    1.6
    2.5
    150
    150
    2.3
    单位
    V
    V
    A
    A
    A
    W
    W
    °C
    °C
    A
    按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
    源极 - 漏极二极管
    SI4410DY_3
    © NXP B.V. 2009保留所有权利。
    产品数据表
    牧师03 - 2009年12月4日
    2 12

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