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    SI4410DY 参数 Datasheet PDF下载

    SI4410DY图片预览
    型号： SI4410DY
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET [N-channel TrenchMOS logic level FET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 12 页 / 355 K
    品牌： PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号SI4410DY的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SI4410DY的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SI4410DY的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SI4410DY的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SI4410DY的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SI4410DY的Datasheet PDF文件第7页浏览型号SI4410DY的Datasheet PDF文件第8页浏览型号SI4410DY的Datasheet PDF文件第9页  
    SI4410DY
    N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
    牧师03 - 2009年12月4日
    产品数据表
    1.产品廓
    1.1概述
    逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（ FET）在一个塑料
    包装用的TrenchMOS技术。本产品的设计和合格的使用
    计算，通信，消费电子和唯一的工业应用。
    1.2特点和优点
    低导通损耗是由于低
    导通状态电阻
    适用于高频
    由于快速开关应用
    特征
    1.3应用
    直流电机控制
    的DC- DC转换器
    锂离子电池应用
    笔记本电脑
    便携式设备
    1.4快速参考数据
    表1中。
    V
    DS
    I
    D
    P
    合计
    快速参考
    条件
    T
    AMB
    = 25°C ;脉冲;
    SEE
    图1
    和
    3
    T
    AMB
    = 25°C ;脉冲;
    SEE
    图2
    V
    GS
    = 10 V ;我
    D
    = 10 A;
    V
    DS
    = 15 V ;牛逼
    j
    = 25 °C;
    SEE
    图12
    V
    GS
    = 4.5 V ;我
    D
    = 5 A;
    T
    j
    = 25 °C;
    SEE
    图10
    和
    11
    V
    GS
    = 10 V ;我
    D
    = 10 A;
    T
    j
    = 25 °C;
    SEE
    图10
    和
    11
    民
    -
    -
    -
    典型值
    -
    -
    -
    最大
    30
    10
    2.5
    单位
    V
    A
    W
    漏 - 源电压Ť
    j
    ≥
    25 ℃;牛逼
    j
    ≤
    150 °C
    漏电流
    总功率
    耗散
    栅极 - 漏极电荷
    符号参数
    动态特性
    Q
    GD
    -
    7
    -
    nC
    静态特性
    R
    DSON
    漏源
    导通状态电阻
    -
    15
    20
    mΩ
    -
    11
    13.5
    mΩ

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