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SI4410DY图片预览
型号: SI4410DY
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内容描述: N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET [N-channel TrenchMOS logic level FET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 12 页 / 355 K
品牌: PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
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恩智浦半导体
SI4410DY
N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
7.包装外形
SO8 :塑料小外形封装; 8线索;体宽3.9毫米
SOT96-1
D
E
A
X
c
y
H
E
v
M
A
Z
8
5
Q
A
2
PIN 1 INDEX
θ
L
p
1
4
A
1
(A
3
)
A
L
w
M
细节X
e
b
p
0
2.5
规模
5 mm
尺寸(英寸尺寸是从原始的毫米尺寸得到)
单位
mm
英寸
A
马克斯。
1.75
0.069
A
1
0.25
0.10
A
2
1.45
1.25
A
3
0.25
0.01
b
p
0.49
0.36
c
0.25
0.19
D
(1)
5.0
4.8
0.20
0.19
E
(2)
4.0
3.8
0.16
0.15
e
1.27
0.05
H
E
6.2
5.8
L
1.05
L
p
1.0
0.4
Q
0.7
0.6
v
0.25
0.01
w
0.25
0.01
y
0.1
0.004
Z
(1)
0.7
0.3
0.028
0.012
θ
o
0.010 0.057
0.004 0.049
0.019 0.0100
0.014 0.0075
0.244
0.039 0.028
0.041
0.228
0.016 0.024
8
o
0
笔记
不包括1.塑料或金属为0.15毫米( 0.006英寸)的最大每一侧突起。
不包括2.塑料或金属为0.25毫米(0.01英寸),最大每一侧突起。
概要
VERSION
SOT96-1
参考文献:
IEC
076E03
JEDEC
MS-012
JEITA
欧洲
投影
发行日期
99-12-27
03-02-18
图15.封装外形SOT96-1 ( SO8 )
SI4410DY_3
© NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师03 - 2009年12月4日
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