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    SI4410DY 参数 Datasheet PDF下载

    SI4410DY图片预览
    型号： SI4410DY
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET [N-channel TrenchMOS logic level FET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 12 页 / 355 K
    品牌： PHILIPS [ NXP SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号SI4410DY的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SI4410DY的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SI4410DY的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SI4410DY的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SI4410DY的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SI4410DY的Datasheet PDF文件第7页浏览型号SI4410DY的Datasheet PDF文件第8页浏览型号SI4410DY的Datasheet PDF文件第9页  
    恩智浦半导体
    SI4410DY
    N沟道的TrenchMOS逻辑电平FET
    6.特性
    表6 。
    符号
    V
    GS （ TH）
    I
    DSS
    I
    GSS
    R
    DSON
    特征
    参数
    门极 - 源
    电压
    漏极漏电流
    栅极漏电流
    漏极 - 源极导通状态
    阻力
    条件
    I
    D
    = 250 μA ; V
    DS
    = V
    GS
    ; T
    j
    = 25 °C;
    SEE
    图9
    V
    DS
    = 30 V; V
    GS
    = 0 V ;牛逼
    j
    = 25 °C
    V
    DS
    = 30 V; V
    GS
    = 0 V ;牛逼
    j
    = 55 °C
    V
    GS
    = 20 V; V
    DS
    = 0 V ;牛逼
    j
    = 25 °C
    V
    GS
    = -20 V; V
    DS
    = 0 V ;牛逼
    j
    = 25 °C
    V
    GS
    = 4.5 V ;我
    D
    = 5 A;牛逼
    j
    = 25 °C;
    SEE
    图10
    和
    11
    V
    GS
    = 10 V ;我
    D
    = 10 A;牛逼
    j
    = 25 °C;
    SEE
    图10
    和
    11
    I
    DSON
    导通状态漏极 - 源极
    当前
    总栅极电荷
    V
    DS
    ≥
    5 V; V
    GS
    = 10 V
    民
    1
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    20
    典型值
    -
    -
    -
    -
    -
    15
    11
    -
    最大
    -
    1
    25
    100
    100
    20
    13.5
    -
    单位
    V
    µA
    µA
    nA
    nA
    mΩ
    mΩ
    A
    静态特性
    动态特性
    Q
    G（ TOT ）
    I
    D
    = 10 A; V
    DS
    = 15 V; V
    GS
    = 5 V;
    T
    j
    = 25°C ;看
    图12
    I
    D
    = 10 A; V
    DS
    = 15 V; V
    GS
    = 10 V;
    T
    j
    = 25°C ;看
    图12
    -
    -
    -
    -
    V
    DS
    = 25 V ; ř
    L
    = 25
    Ω;
    V
    GS
    = 10 V;
    R
    G（ EXT ）
    = 6
    Ω;
    T
    j
    = 25 °C
    -
    -
    -
    -
    V
    DS
    = 15 V ;我
    D
    = 10 A;牛逼
    j
    = 25 °C;
    SEE
    图13
    I
    S
    = 2.3 A; V
    GS
    = 0 V ;牛逼
    j
    = 25 °C;
    SEE
    图14
    I
    S
    = 2.3 A;的dI
    S
    / DT = -100 A / μs的; V
    GS
    = 0 V;
    V
    DS
    = 25 V ;牛逼
    j
    = 25 °C
    -
    21.5
    40
    8
    7
    13.5
    9
    70
    30
    34
    34
    60
    -
    -
    30
    20
    100
    80
    -
    nC
    nC
    nC
    nC
    ns
    ns
    ns
    ns
    S
    Q
    GS
    Q
    GD
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    g
    fs
    栅极 - 源电荷
    栅极 - 漏极电荷
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    传导率
    源极 - 漏极二极管
    V
    SD
    t
    rr
    源 - 漏电压
    反向恢复时间
    -
    -
    0.7
    50
    1.1
    80
    V
    ns
    SI4410DY_3
    © NXP B.V. 2009保留所有权利。
    产品数据表
    牧师03 - 2009年12月4日
    5 12

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