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    IMW120R020M1H 参数 Datasheet PDF下载

    IMW120R020M1H图片预览
    型号： IMW120R020M1H
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    内容描述： [采用TO247-3封装的1200V 20mΩ  CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损耗、关断损耗受温度影响小以及没有拐点电压的导通特性。因此，CoolSiC™碳化硅 MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构，如功率因素校正（PFC）电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。]
    分类和应用： 开关栅DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极
    文件页数/大小： 16 页 / 1225 K
    品牌： INFINEON [ Infineon ]
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    IMW120R020M1H  
    ™
    CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET  
    4 Characteristics diagrams  
    Typical on-state resistance as a function of junction  
    temperature  
    RDS(on) = f(Tvj)  
    Typical gate charge  
    VGS = f(QG)  
    ID = 41 A, VDS = 800 V  
    ID = 41 A  
    60  
    50  
    40  
    30  
    20  
    10  
    0
    18  
    16  
    14  
    12  
    10  
    8
    6
    4
    2
    0
    -50 -25  
    0
    25  
    50  
    75 100 125 150 175  
    0
    30  
    60  
    90  
    120  
    Typical capacitance as a function of drain-source  
    voltage  
    Typical reverse drain voltage as function of junction  
    temperature  
    C = f(VDS  
    )
    VSD = f(Tvj)  
    f = 100 kHz, VGS = 0 V  
    ISD = 41 A, VGS = 0 V  
    5
    4
    3
    2
    1
    0
    10000  
    1000  
    100  
    10  
    1
    1
    -50 -25  
    0
    25  
    50  
    75 100 125 150 175  
    10  
    100  
    1000  
    Datasheet  
    9
    Revision 1.30  
    2023-05-08  

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