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    IMW120R020M1H 参数 Datasheet PDF下载

    IMW120R020M1H图片预览
    型号： IMW120R020M1H
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [采用TO247-3封装的1200V 20mΩ  CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损耗、关断损耗受温度影响小以及没有拐点电压的导通特性。因此，CoolSiC™碳化硅 MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构，如功率因素校正（PFC）电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。]
    分类和应用： 开关栅DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极
    文件页数/大小： 16 页 / 1225 K
    品牌： INFINEON [ Infineon ]
     浏览型号IMW120R020M1H的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IMW120R020M1H的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IMW120R020M1H的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IMW120R020M1H的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IMW120R020M1H的Datasheet PDF文件第9页浏览型号IMW120R020M1H的Datasheet PDF文件第10页浏览型号IMW120R020M1H的Datasheet PDF文件第11页浏览型号IMW120R020M1H的Datasheet PDF文件第12页  
    IMW120R020M1H  
    ™
    CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET  
    4 Characteristics diagrams  
    Typical transfer characteristic  
    Typical gate-source threshold voltage as a function of  
    junction temperature  
    VGS(th) = f(Tvj)  
    IDS = f(VGS  
    )
    VDS = 20 V, tp = 20 µs  
    ID = 17.6 mA  
    700  
    6.0  
    5.0  
    4.0  
    3.0  
    2.0  
    1.0  
    0.0  
    600  
    500  
    400  
    300  
    200  
    100  
    0
    -50 -25  
    0
    25  
    50  
    75 100 125 150 175  
    0
    4
    8
    12  
    16  
    20  
    Typical output characteristic, VGS as parameter  
    IDS = f(VDS  
    Typical output characteristic,VGS as parameter  
    IDS = f(VDS  
    )
    )
    Tvj = 25 °C, tp = 20 µs  
    Tvj = 175 °C, tp = 20 µs  
    700  
    400  
    350  
    300  
    250  
    200  
    150  
    100  
    50  
    600  
    500  
    400  
    300  
    200  
    100  
    0
    0
    0
    4
    8
    12  
    16  
    20  
    0
    4
    8
    12  
    16  
    20  
    Datasheet  
    8
    Revision 1.30  
    2023-05-08  

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