欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

IMW120R020M1H 参数 Datasheet PDF下载

IMW120R020M1H图片预览
型号: IMW120R020M1H
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: [采用TO247-3封装的1200V 20mΩ  CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺,该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅(Si)基器件相比,SiC MOSFET具有诸多优势,例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损耗、关断损耗受温度影响小以及没有拐点电压的导通特性。因此,CoolSiC™碳化硅 MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构,如功率因素校正(PFC)电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。]
分类和应用: 开关DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极
文件页数/大小: 16 页 / 1225 K
品牌: INFINEON [ Infineon ]
 浏览型号IMW120R020M1H的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IMW120R020M1H的Datasheet PDF文件第9页浏览型号IMW120R020M1H的Datasheet PDF文件第10页浏览型号IMW120R020M1H的Datasheet PDF文件第11页浏览型号IMW120R020M1H的Datasheet PDF文件第12页浏览型号IMW120R020M1H的Datasheet PDF文件第14页浏览型号IMW120R020M1H的Datasheet PDF文件第15页浏览型号IMW120R020M1H的Datasheet PDF文件第16页  
IMW120R020M1H  
CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET  
5 Package outlines  
5
Package outlines  
PG-TO247-3-STD-NN2.5  
PACKAGE - GROUP  
NUMBER:  
PG-TO247-3-U06  
MILLIMETERS  
DIMENSIONS  
MIN.  
4.83  
2.27  
1.85  
1.07  
1.90  
2.87  
0.55  
20.80  
16.25  
0.95  
15.70  
13.10  
3.68  
1.00  
MAX.  
5.21  
2.54  
2.16  
1.33  
2.41  
3.38  
0.68  
21.10  
17.65  
1.35  
16.13  
14.15  
5.10  
2.60  
A
A1  
A2  
b
b1  
b2  
c
D
D1  
D2  
E
E1  
E2  
E3  
e
5.44  
3
N
L
19.80  
4.10  
3.50  
5.49  
6.04  
20.32  
4.47  
3.70  
6.00  
6.30  
L1  
øP  
Q
S
Figure 1  
Datasheet  
13  
Revision 1.30  
2023-05-08  
 复制成功!