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    IMW120R020M1H 参数 Datasheet PDF下载

    IMW120R020M1H图片预览
    型号： IMW120R020M1H
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [采用TO247-3封装的1200V 20mΩ  CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损耗、关断损耗受温度影响小以及没有拐点电压的导通特性。因此，CoolSiC™碳化硅 MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构，如功率因素校正（PFC）电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。]
    分类和应用： 开关栅DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极
    文件页数/大小： 16 页 / 1225 K
    品牌： INFINEON [ Infineon ]
     浏览型号IMW120R020M1H的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IMW120R020M1H的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IMW120R020M1H的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IMW120R020M1H的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IMW120R020M1H的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IMW120R020M1H的Datasheet PDF文件第9页浏览型号IMW120R020M1H的Datasheet PDF文件第10页浏览型号IMW120R020M1H的Datasheet PDF文件第11页  
    IMW120R020M1H  
    ™
    CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET  
    4 Characteristics diagrams  
    4
    Characteristics diagrams  
    Reverse bias safe operating area (RBSOA)  
    IDS = f(VDS  
    Tvj ≤ 175 °C, VGS = 0/18 V, Tc = 25 °C  
    Power dissipation as a function of case temperature  
    limited by bond wire  
    Ptot = f(Tc)  
    )
    250  
    450  
    400  
    350  
    300  
    250  
    200  
    150  
    100  
    50  
    200  
    150  
    100  
    50  
    0
    0
    0
    200  
    400  
    600  
    800 1000 1200 1400  
    0
    25  
    50  
    75  
    100  
    125  
    150  
    175  
    Maximum DC drain to source current as a function of Maximum source to drain current as a function of case  
    case temperature limited by bond wire  
    temperature limited by bond wire  
    IDS = f(Tc)  
    ISD = f(Tc)  
    VGS = 0 V  
    120  
    100  
    80  
    60  
    40  
    20  
    0
    120  
    100  
    80  
    60  
    40  
    20  
    0
    0
    25  
    50  
    75  
    100  
    125  
    150  
    175  
    0
    25  
    50  
    75  
    100  
    125  
    150  
    175  
    Datasheet  
    7
    Revision 1.30  
    2023-05-08  

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