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    IMW120R020M1H 参数 Datasheet PDF下载

    IMW120R020M1H图片预览
    型号： IMW120R020M1H
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    内容描述： [采用TO247-3封装的1200V 20mΩ  CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损耗、关断损耗受温度影响小以及没有拐点电压的导通特性。因此，CoolSiC™碳化硅 MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构，如功率因素校正（PFC）电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。]
    分类和应用： 开关栅DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极
    文件页数/大小： 16 页 / 1225 K
    品牌： INFINEON [ Infineon ]
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    IMW120R020M1H  
    ™
    CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET  
    4 Characteristics diagrams  
    Typical switching energy losses as a function of dead Max. transient thermal impedance (MOSFET/diode)  
    time / blanking time, test circuit in Fig. F, 2nd device  
    own body diode: VGS = -5 V  
    Zth(j-c),max = f(tp)  
    D = tp/T  
    E = f(tdead  
    )
    VGS = -5/18 V, ID = 41 A, Tvj = 175 °C, VDD = 800 V  
    1400  
    1
    0.1  
    1200  
    1000  
    800  
    600  
    400  
    200  
    0
    0.01  
    0.001  
    0.0001  
    1E-6  
    1E-5 0.0001 0.001  
    0.01  
    0.1  
    1
    50  
    250  
    450  
    650  
    850  
    1050  
    Datasheet  
    12  
    Revision 1.30  
    2023-05-08  

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