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    IMW120R020M1H 参数 Datasheet PDF下载

    IMW120R020M1H图片预览
    型号： IMW120R020M1H
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    内容描述： [采用TO247-3封装的1200V 20mΩ  CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损耗、关断损耗受温度影响小以及没有拐点电压的导通特性。因此，CoolSiC™碳化硅 MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构，如功率因素校正（PFC）电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。]
    分类和应用： 开关栅DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极
    文件页数/大小： 16 页 / 1225 K
    品牌： INFINEON [ Infineon ]
     浏览型号IMW120R020M1H的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IMW120R020M1H的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IMW120R020M1H的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IMW120R020M1H的Datasheet PDF文件第9页浏览型号IMW120R020M1H的Datasheet PDF文件第11页浏览型号IMW120R020M1H的Datasheet PDF文件第12页浏览型号IMW120R020M1H的Datasheet PDF文件第13页浏览型号IMW120R020M1H的Datasheet PDF文件第14页  
    IMW120R020M1H  
    ™
    CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET  
    4 Characteristics diagrams  
    Typical reverse drain current as function of reverse  
    drain voltage, VGS as parameter  
    Typical reverse drain current as function of reverse  
    drain voltage, VGS as parameter  
    ISD = f(VSD  
    )
    ISD = f(VSD)  
    Tvj = 175 °C, tp = 20 µs  
    Tvj = 25 °C, tp = 20 µs  
    200  
    200  
    180  
    160  
    140  
    120  
    100  
    80  
    180  
    160  
    140  
    120  
    100  
    80  
    60  
    60  
    40  
    40  
    20  
    20  
    0
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    1
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    6
    0
    1
    2
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    5
    6
    Typical switching energy as a function of junction  
    temperature, test circuit in Fig. F, 2nd device own  
    body diode: VGS = 0 V  
    Typical switching energy as a function of drain  
    current, test circuit in Fig. F, 2nd device own body  
    diode: VGS = 0 V  
    E = f(Tvj)  
    E = f(ID)  
    VGS = 0/18 V, ID = 41 A, RG,ext = 2 Ω, VDD = 800 V  
    VGS = 0/18 V, Tvj = 175 °C, RG,ext = 2 Ω, VDD = 800 V  
    3000  
    2500  
    2000  
    1500  
    1000  
    500  
    6000  
    5000  
    4000  
    3000  
    2000  
    1000  
    0
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    50  
    75  
    100  
    125  
    150  
    175  
    20  
    30  
    40  
    50  
    60  
    70  
    80  
    Datasheet  
    10  
    Revision 1.30  
    2023-05-08  

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