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    IMW120R020M1H 参数 Datasheet PDF下载

    IMW120R020M1H图片预览
    型号： IMW120R020M1H
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [采用TO247-3封装的1200V 20mΩ  CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损耗、关断损耗受温度影响小以及没有拐点电压的导通特性。因此，CoolSiC™碳化硅 MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构，如功率因素校正（PFC）电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。]
    分类和应用： 开关栅DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极
    文件页数/大小： 16 页 / 1225 K
    品牌： INFINEON [ Infineon ]
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    IMW120R020M1H  
    ™
    CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET  
    Revision history  
    Revision history  
    Document revision  
    Date of release Description of changes  
    1.00  
    1.10  
    2022-02-02  
    2022-08-12  
    Final datasheet  
    Change of test condition of dynamic capacitances in Table 4,  
    “Characteristic values” (Ciss, Coss, Crss): VDD= 25 V to VDD= 800 V  
    Correction of unit of “Input capacitance” Ciss from nF to pF  
    Change of VGS “Gate-source voltage, max. static voltage” in Table 2,  
    “Maximum rated values” from -5/20 V to -7/20 V  
    Editorial changes in “Features” on page 1  
    Editorial changes in “Package” on page 1  
    Correction of unit of x-axis at diagram “Max. transient thermal  
    impedance (MOSFET/diode)” from µs to s, on page 13  
    Correction of diagram “Typical reverse drain current as a function of  
    reverse drain voltage, VGS as parameter”, on page 11  
    1.20  
    1.30  
    2023-02-20  
    2023-05-08  
    Correction of IDSS in table 4 on page 4  
    Editorial changes  
    Correction of gate charge values in Table 4  
    Datasheet  
    15  
    Revision 1.30  
    2023-05-08  

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