IMW120R020M1H 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IMW120R020M1H
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内容描述：	[采用TO247-3封装的1200V 20mΩ CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损耗、关断损耗受温度影响小以及没有拐点电压的导通特性。因此，CoolSiC™碳化硅 MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构，如功率因素校正（PFC）电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。]
分类和应用：	开关栅DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极
文件页数/大小：	16 页 / 1225 K
品牌：	INFINEON [ Infineon ]

IMW120R020M1H

™

CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET

6 Testing conditions

Testing conditions

I,V

V_DS

90%

diSD/dt

tfr = ta + tb

Qfr = Qa + Qb

ISD

tfr

t_a

t_b

10%

V_GS

Q_a

Q_b

10% Ifrm

t_d(on)

t_d(off)

Ifrm

t_r

t_on

t_f

t_off

VSD

Figure A. Definition of switching times

V_GS(t)

90% V_GS

Figure B. Definition of body diode

switching characteristics

VGS,VDS

97% V_DS

V^GS= 18 V

10% V_GS

I_D(t)

1% I_D

V_DS

V_DS(t)

t, Q

Q_GS,pl

Q_G,tot

QGD

Figure D. Definition of QGD

½L_σ

E_on

ʃ V_DS*I_D*dt

E_off

ʃ V_DS*I_D*dt

second

device

3% V_DS

C_σ

t₁

t₂

t₃

t₄

V_GS(off)

Figure C. Definition of switching losses

V_DD

τ₁/r₁

τ₂/r₂

τ_n/r_n

R_G

DUT

T_j(t)

p(t)

r₁

r₂

r₃

½L_σ

T_C

Figure F. Dynamic test circuit

Parasitic inductance Lσ,

Parasitic capacitor Cσ,

Figure E. Thermal equivalent circuit

Figure 2

Datasheet

Revision 1.30

2023-05-08

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