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BTT6200-4ESA 参数 Datasheet PDF下载

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型号: BTT6200-4ESA
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内容描述: [The power transistor is built by an N-channel vertical power MOSFET with charge pump. The device is integrated in Smart6 HV technology. It is specially designed to drive lamps up to R10 W 24 V or R5 W 12 V, as well as LEDs in the harsh automotive environment.]
分类和应用:
文件页数/大小: 51 页 / 1248 K
品牌: INFINEON [ Infineon ]
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PROFET + 24V  
BTT6200-4ESA  
Electrical characteristics and parameters  
4.3.2  
Thermal impedance  
BTT6200-4ESA  
100  
10  
1
2s2p  
1s0p - 600 mm²  
1s0p - 300 mm²  
1s0p - footprint  
0,1  
0,0001  
0,001  
0,01  
0,1  
1
10  
100  
1000  
Time (s)  
Figure 7  
Typical thermal impedance. 2s2p PCB set-up according to Figure 5  
BTT6200-4ESA  
120  
1s0p - Tambient = 105°C  
110  
100  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
0
100  
200  
300  
400  
500  
600  
Cooling area (mm²)  
Figure 8  
Typical thermal resistance. PCB set-up 1s0p  
Datasheet  
14  
Rev. 1.00  
2019-03-09  
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