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    BTT6200-4ESA 参数 Datasheet PDF下载

    BTT6200-4ESA图片预览
    型号： BTT6200-4ESA
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    内容描述： [The power transistor is built by an N-channel vertical power MOSFET with charge pump. The device is integrated in Smart6 HV technology. It is specially designed to drive lamps up to R10 W 24 V or R5 W 12 V, as well as LEDs in the harsh automotive environment.]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 51 页 / 1248 K
    品牌： INFINEON [ Infineon ]
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    ™
    PROFET + 24V  
    BTT6200-4ESA  
    Power stage  
    5
    Power stage  
    The power stages are built using an N-channel vertical power MOSFET (DMOS) with charge pump.  
    5.1  
    Output ON-state resistance  
    The ON-state resistance RDS(ON) depends on the supply voltage as well as the junction temperature TJ. Figure 9  
    shows the dependencies in terms of temperature and supply voltage for the typical ON-state resistance. The  
    behavior in reverse polarity is described in Chapter 6.4.  
    Figure 9  
    Typical ON-state resistance  
    A high signal at the input pin (see Chapter 8) causes the power DMOS to switch ON with a dedicated slope,  
    which is optimized in terms of EMC emission.  
    5.2  
    Turn ON/OFF characteristics with resistive load  
    Figure 10 shows the typical timing when switching a resistive load.  
    IN  
    VIN_H  
    VIN_L  
    t
    VOUT  
    dV/dt ON  
    dV/dt OFF  
    tON  
    90% VS  
    tOFF_delay  
    70% VS  
    30% VS  
    tON_delay  
    tOFF  
    10% VS  
    t
    Switching times.vsd  
    Figure 10  
    Switching a resistive load timing  
    Datasheet  
    15  
    Rev. 1.00  
    2019-03-09  

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