欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

SIS438DN 参数 Datasheet PDF下载

SIS438DN图片预览
型号: SIS438DN
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: N通道20 -V (D -S )的MOSFET [N-Channel 20-V (D-S) MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 13 页 / 580 K
品牌: VISHAY [ VISHAY ]
 浏览型号SIS438DN的Datasheet PDF文件第1页浏览型号SIS438DN的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SIS438DN的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SIS438DN的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SIS438DN的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SIS438DN的Datasheet PDF文件第7页浏览型号SIS438DN的Datasheet PDF文件第8页浏览型号SIS438DN的Datasheet PDF文件第9页  
New Product  
SiS438DN  
Vishay Siliconix  
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted  
45  
36  
27  
Package Limited  
18  
9
0
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
T
C
- Case Temperature (°C)  
Current Derating*  
35  
28  
21  
14  
7
2.0  
1.6  
1.2  
0.8  
0.4  
0
0.0  
0
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
25  
50  
75  
100  
125  
150  
T
A
- Ambient Temperature (°C)  
T
C
- Case Temperature (°C)  
Power, Junction-to-Ambient  
Power, Junction-to-Case  
* The power dissipation PD is based on TJ(max) = 150 °C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in settling the upper  
dissipation limit for cases where additional heatsinking is used. It is used to determine the current rating, when this rating falls below the package  
limit.  
Document Number: 64826  
S09-0876-Rev. A, 18-May-09  
www.vishay.com  
5
 复制成功!