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    K7I163682B-FC30 参数 Datasheet PDF下载

    K7I163682B-FC30图片预览
    型号： K7I163682B-FC30
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 512Kx36位， 1Mx18位CIO DDRII SRAM B2 [512Kx36-bit, 1Mx18-bit DDRII CIO b2 SRAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器双倍数据速率时钟
    文件页数/大小： 17 页 / 379 K
    品牌： SAMSUNG [ SAMSUNG ]
     浏览型号K7I163682B-FC30的Datasheet PDF文件第3页浏览型号K7I163682B-FC30的Datasheet PDF文件第4页浏览型号K7I163682B-FC30的Datasheet PDF文件第5页浏览型号K7I163682B-FC30的Datasheet PDF文件第6页浏览型号K7I163682B-FC30的Datasheet PDF文件第8页浏览型号K7I163682B-FC30的Datasheet PDF文件第9页浏览型号K7I163682B-FC30的Datasheet PDF文件第10页浏览型号K7I163682B-FC30的Datasheet PDF文件第11页  
    K7I163682B  
    K7I161882B  
    512Kx36 & 1Mx18 DDRII CIO b2 SRAM  
    LINEAR BURST SEQUENCE TABLE  
    Case 1  
    SA0  
    Case 2  
    SA0  
    BURST SEQUENCE  
    First Address  
    Second Address  
    0
    1
    1
    0
    STATE DIAGRAM  
    POWER-UP  
    LOAD  
    NOP  
    LOAD  
    LOAD NEW ADDRESS  
    LOAD  
    LOAD  
    READ  
    LOAD  
    WRITE  
    LOAD  
    DDR READ  
    DDR WRITE  
    Notes: 1. Internal burst counter is fixed as 2-bit linear, i.e. when first address is A0+0, next internal burst address is A0+1.  
    2. "LOAD" refers to read new address active status with LD=Low, "LOAD" refers to read new address inactive status with LD=High.  
    3. "READ" refers to read active read status with R/W=High, "WRITE" refers to write active status with R/W=Low  
    July. 2004  
    Rev 3.1  
    - 7 -  

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