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    K4J55323QG-BC14 参数 Datasheet PDF下载

    K4J55323QG-BC14图片预览
    型号： K4J55323QG-BC14
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 的256Mbit GDDR3 SDRAM [256Mbit GDDR3 SDRAM]
    分类和应用： 动态存储器双倍数据速率
    文件页数/大小： 53 页 / 1359 K
    品牌： SAMSUNG [ SAMSUNG ]
     浏览型号K4J55323QG-BC14的Datasheet PDF文件第29页浏览型号K4J55323QG-BC14的Datasheet PDF文件第30页浏览型号K4J55323QG-BC14的Datasheet PDF文件第31页浏览型号K4J55323QG-BC14的Datasheet PDF文件第32页浏览型号K4J55323QG-BC14的Datasheet PDF文件第34页浏览型号K4J55323QG-BC14的Datasheet PDF文件第35页浏览型号K4J55323QG-BC14的Datasheet PDF文件第36页浏览型号K4J55323QG-BC14的Datasheet PDF文件第37页  
    256M GDDR3 SDRAM  
    K4J55323QG  
    WRITE Burst  
    T0  
    T1  
    T2  
    T3  
    T3n  
    T4  
    T4n  
    T5  
    T5n  
    T6  
    /CK  
    CK  
    COMMAND  
    ADDRESS  
    WRITE  
    NOP  
    NOP  
    NOP  
    NOP  
    NOP  
    NOP  
    Bank a,  
    Col b  
    tDQSS(NOM)  
    tDQSS  
    WDQS  
    DI  
    b
    DQ  
    DM  
    t
    DQSS(MIN)  
    WDQS  
    tDQSS  
    DI  
    DQ  
    DM  
    b
    t
    DQSS(MAX)  
    WDQS  
    tDQSS  
    DI  
    b
    DQ  
    DM  
    DON’T CARE  
    TRANSITIONING DATA  
    1. DI b = data-in for column b.  
    NOTE :  
    2. Three subsequent elements of data-in are applied in the programmed order following DI b.  
    3. A burst of 4 is shown.  
    4. A8 is LOW with the WRITE command (auto precharge is disabled).  
    5. Write latency is set to 4  
    33 of 53  
    Rev. 1.1 November 2005  

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