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HYB18T512161B2F-25 参数 Datasheet PDF下载

HYB18T512161B2F-25图片预览
型号: HYB18T512161B2F-25
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内容描述: [DDR DRAM, 32MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TFBGA-84]
分类和应用: 时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
文件页数/大小: 37 页 / 1297 K
品牌: QIMONDA [ QIMONDA AG ]
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Internet Data Sheet  
HYB18T512161B2F–20/25  
512-Mbit Double-Data-Rate-Two SDRAM  
2.2  
512 Mbit DDR2 Addressing  
TABLE 5  
512-Mbit DDR2 Addressing  
Configuration  
32-Mbit x 16  
Note  
Bank Address  
BA[1:0]  
4
Number of Banks  
Auto-Precharge  
Row Address  
A10 / AP  
A[12:0]  
A[9:0]  
10  
Column Address  
1)  
2)  
3)  
Number of Column Address Bits  
Number of I/Os  
16  
Page Size [Bytes]  
2048 (2K)  
1) Referred to as ’colbits’  
2) Referred to as ’org’  
3) PageSize = 2colbits× org/8 [Bytes  
Rev. 1.1, 2007-06  
9
05152007-ZYAH-ACMZ  
Date: 2008-02-26