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V58C2128804S 参数 Datasheet PDF下载

V58C2128804S图片预览
型号: V58C2128804S
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内容描述: 高性能2.5伏128兆位的DDR SDRAM [HIGH PERFORMANCE 2.5 VOLT 128 Mbit DDR SDRAM]
分类和应用: 动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小: 59 页 / 922 K
品牌: MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
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V58C2128(804/404/164)S  
Burst Write Timing  
(CAS Latency = Any; Burst Length = 4)  
T4  
T0  
T1  
T2  
T3  
CK, CK  
WRITE  
NOP  
NOP  
NOP  
Command  
tWPREH  
tWPST  
tWPRES  
tQDQSS  
tDQSS  
DQS(nom)  
DQ(nom)  
tQDQSH  
tQDQSS  
tQDQSH  
D0  
D1  
D2  
D3  
tWPREH(min)  
tWPRES(min)  
DQS(min)  
DQ(min)  
tDQSS(min)  
D0  
D1  
D2  
D3  
tWPRES(max)  
t
WPREH(max)  
DQS(max)  
DQ(max)  
t
DQSS(max)  
D0  
D1  
D2  
D3  
Once the burst of write data is concluded and given that no subsequent burst write operations are initiated,  
the data strobe signal (DQS) transitions from a logic low level back to Hi-Z. This is referred to as the data  
strobe “write postamble”. This transition happens nominally one-half clock period after the last data of the  
burst cycle is latched into the device.  
V58C2128(804/404/164)S Rev. 1.6 March 2002  
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