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MT54W1MH36BF-5 参数 Datasheet PDF下载

MT54W1MH36BF-5图片预览
型号: MT54W1MH36BF-5
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内容描述: 36MB QDR⑩II SRAM 2字突发 [36Mb QDR⑩II SRAM 2-WORD BURST]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 27 页 / 522 K
品牌: MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
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ADVANCE  
4 MEG x 8, 4 MEG x 9, 2 MEG x 18, 1 MEG x 36  
1.8V VDD, HSTL, QDRIIb2 SRAM  
AC TEST CONDITIONS  
Figure 5  
Output Load Equivalent  
Input pulse levels . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.25V to 1.25V  
Input rise and fall times . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.7ns  
Input timing reference levels . . . . . . . . . . . . . . . . 0.75V  
Output reference levels . . . . . . . . . . . . . . . . . . .VDDQ/2  
ZQ for 50impedance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250ꢀ  
Output load . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . See Figure 5  
0.75V  
VDDQ/2  
VREF  
50  
Z
= 50  
O
SRAM  
250Ω  
ZQ  
36Mb: 1.8V VDD, HSTL, QDRIIb2 SRAM  
MT54W2MH18B_A.fm - Rev 9/02  
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.  
©2002, Micron Technology Inc.  
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