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MT4C4M4B1TG-6 参数 Datasheet PDF下载

MT4C4M4B1TG-6图片预览
型号: MT4C4M4B1TG-6
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内容描述: DRAM [DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 20 页 / 360 K
品牌: MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
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4 MEG x 4  
FPM DRAM  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM – 2K REFRESH  
WE#  
CAS#  
4
DATA-IN  
BUFFER  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
4
DATA-OUT  
BUFFER  
NO. 2 CLOCK  
GENERATOR  
4
OE#  
COLUMN-  
ADDRESS  
BUFFER(11)  
COLUMN  
DECODER  
10  
1
A0  
A1  
A2  
A3  
A4  
A5  
A6  
A7  
A8  
A9  
A10  
11  
4
1,024  
REFRESH  
CONTROLLER  
SENSE AMPLIFIERS  
I/O GATING  
1,024  
REFRESH  
COUNTER  
2,048  
2,048  
2,048  
11  
4,096 x 1,024 x 4  
MEMORY  
ROW-  
ADDRESS  
BUFFERS (11)  
ARRAY  
11  
11  
2,048  
2,048  
NO. 1 CLOCK  
GENERATOR  
V
V
DD  
SS  
RAS#  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM – 4K REFRESH  
WE#  
CAS#  
4
4
DATA-IN  
BUFFER  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DATA-OUT  
BUFFER  
NO. 2 CLOCK  
GENERATOR  
4
OE#  
COLUMN-  
ADDRESS  
BUFFER(10)  
COLUMN  
DECODER  
10  
A0  
A1  
10  
4
1,024  
A2  
REFRESH  
CONTROLLER  
A3  
SENSE AMPLIFIERS  
I/O GATING  
A4  
A5  
1,024  
A6  
REFRESH  
COUNTER  
A7  
A8  
12  
A9  
4,096 x 1,024 x 4  
MEMORY  
4,096  
4,096  
A10  
A11  
ROW-  
ADDRESS  
BUFFERS (12)  
ARRAY  
12  
12  
4,096  
NO. 1 CLOCK  
GENERATOR  
V
DD  
RAS#  
Vss  
4 Meg x 4 FPM DRAM  
D49_5V.p65 – Rev. 5/00  
Micron Technology, Inc., reservesthe right to change productsor specificationswithout notice.  
©2000, Micron Technology, Inc.  
3
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