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IMW120R140M1H 参数 Datasheet PDF下载

IMW120R140M1H图片预览
型号: IMW120R140M1H
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内容描述: [IMW120R140M1H是采用TO247-3封装的1200 V、140 mΩ CoolSiC™  SiC MOSFET,它基于先进的沟槽半导体工艺,该工艺经过优化,兼具性能与可靠性。 与IGBT和MOSFET等传统硅(Si)基开关相比,SiC MOSFET具有诸多优势,例如1200V级开关中最低的栅极电荷和器件电容电平、抗换向体二极管无反向恢复损耗、 独立于温度的低开关损耗以及无阈值导通特性。因此,CoolSiC™ MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构,如功率因素校正(PFC)电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。]
分类和应用: 开关DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极半导体
文件页数/大小: 17 页 / 1172 K
品牌: INFINEON [ Infineon ]
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IMW120R140M1H  
CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET  
Electrical characteristic diagrams  
4
Electrical characteristic diagrams  
100  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
not for linear use  
Rth(j-c,max)  
Rth(j-c,typ)  
0
0
25 50 75 100 125 150 175  
0
400  
800  
1200  
TC [ C]  
VDS [V]  
Figure 2  
Power dissipation as a function of case  
temperature limited by bond wire  
(Ptot = f(TC))  
Figure 1  
Safe operating area (SOA)  
(VGS = 0/18V, Tc = 25°C, Tj 175°C)  
30  
20  
10  
30  
20  
10  
0
Rth(j-c,typ)  
Rth(j-c,max)  
Rth(j-c,typ)  
Rth(j-c,max)  
0
0
25 50 75 100 125 150 175  
0
25 50 75 100 125 150 175  
TC [ C]  
TC [ C]  
Figure 3  
Maximum DC drain to source current as Figure 4  
a function of case temperature limited  
by bond wire (IDS = f(TC))  
Maximum source to drain current as a  
function of case temperature limited by  
bond wire (ISD = f(TC), VGS = 0V)  
Datasheet  
8 of 17  
2.2  
2020-12-11  
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