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    IMW120R140M1H 参数 Datasheet PDF下载

    IMW120R140M1H图片预览
    型号： IMW120R140M1H
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    内容描述： [IMW120R140M1H是采用TO247-3封装的1200 V、140 mΩ CoolSiC™  SiC MOSFET，它基于先进的沟槽半导体工艺，该工艺经过优化，兼具性能与可靠性。 与IGBT和MOSFET等传统硅（Si）基开关相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200V级开关中最低的栅极电荷和器件电容电平、抗换向体二极管无反向恢复损耗、 独立于温度的低开关损耗以及无阈值导通特性。因此，CoolSiC™ MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构，如功率因素校正（PFC）电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。]
    分类和应用： 开关栅DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极半导体
    文件页数/大小： 17 页 / 1172 K
    品牌： INFINEON [ Infineon ]
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    IMW120R140M1H  
    CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET  
    Electrical characteristic diagrams  
    18  
    16  
    14  
    12  
    10  
    8
    350  
    VGS = 18V  
    300  
    VGS = 15V  
    250  
    200  
    150  
    100  
    50  
    6
    4
    2
    0
    0
    -40  
    10  
    60  
    110 160  
    0
    2
    4
    6
    8
    10 12  
    Tvj [ C]  
    QG [nC]  
    Figure 9  
    Typical on-resistance as a function of  
    junction temperature  
    (RDS(on) = f(Tvj), IDS = 6A)  
    Figure 10 Typical gate charge  
    (VGS = f(QG), IDS = 6A, VDS = 800V, turn-on  
    pulse)  
    6
    5
    4
    3
    2
    1
    0
    1000  
    100  
    10  
    1
    Ciss  
    Coss  
    Crss  
    1
    10  
    100  
    1000  
    -40  
    10  
    60  
    110  
    160  
    VDS[V]  
    Tvj [ C]  
    Figure 11 Typical capacitance as a function of  
    drain-source voltage  
    Figure 12 Typical body diode forward voltage as  
    function of junction temperature  
    (VSD=f(Tvj), VGS=0V, ISD=6A)  
    (C = f(VDS), VGS = 0V, f = 1MHz)  
    Datasheet  
    10 of 17  
    2.2  
    2020-12-11  

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