欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
会员中心
企业资讯   人才招聘  
电子百科

电子百科

Datasheet下载 IC品牌 缩略语 技术文章 IC型号

产品导航

ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789
PDF
  • 产品
  • PDF

    • 最近搜索

    热门搜索

    搜索
    发布采购

    IMW120R140M1H 参数 Datasheet PDF下载

    IMW120R140M1H图片预览
    型号： IMW120R140M1H
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： [IMW120R140M1H是采用TO247-3封装的1200 V、140 mΩ CoolSiC™  SiC MOSFET，它基于先进的沟槽半导体工艺，该工艺经过优化，兼具性能与可靠性。 与IGBT和MOSFET等传统硅（Si）基开关相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200V级开关中最低的栅极电荷和器件电容电平、抗换向体二极管无反向恢复损耗、 独立于温度的低开关损耗以及无阈值导通特性。因此，CoolSiC™ MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构，如功率因素校正（PFC）电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。]
    分类和应用： 开关栅DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极半导体
    文件页数/大小： 17 页 / 1172 K
    品牌： INFINEON [ Infineon ]
     浏览型号IMW120R140M1H的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IMW120R140M1H的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IMW120R140M1H的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IMW120R140M1H的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IMW120R140M1H的Datasheet PDF文件第10页浏览型号IMW120R140M1H的Datasheet PDF文件第11页浏览型号IMW120R140M1H的Datasheet PDF文件第12页浏览型号IMW120R140M1H的Datasheet PDF文件第13页  
    IMW120R140M1H  
    CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET  
    Electrical characteristic diagrams  
    50  
    6
    5
    4
    3
    2
    1
    0
    25°C  
    175°C  
    40  
    30  
    20  
    10  
    0
    -40  
    10  
    60  
    110  
    160  
    0
    5
    10  
    15  
    20  
    Tvj [ C]  
    VGS [V]  
    Figure 6  
    Typical gate-source threshold voltage  
    as a function of junction temperature  
    (VGS(th) = f(Tvj), IDS = 2.5mA, VGS = VDS)  
    Figure 5  
    Typical transfer characteristic  
    (IDS = f(VGS), VDS = 20V, tP = 20µs)  
    50  
    50  
    20V  
    18V  
    16V  
    15V  
    14V  
    12V  
    10V  
    8V  
    20V  
    18V  
    16V  
    15V  
    14V  
    12V  
    10V  
    8V  
    40  
    30  
    20  
    10  
    0
    40  
    30  
    20  
    10  
    0
    6V  
    6V  
    0
    4
    8
    12  
    16  
    20  
    0
    4
    8
    12  
    16  
    20  
    VDS [V]  
    VDS [V]  
    Figure 7  
    Typical output characteristic, VGS as  
    parameter  
    Figure 8  
    Typical output characteristic, VGS as  
    parameter  
    (IDS = f(VDS), Tvj=25°C, tP = 20µs)  
    (IDS = f(VDS), Tvj=175°C, tP = 20µs)  
    Datasheet  
    9 of 17  
    2.2  
    2020-12-11  

    IC37:专业IC行业平台

    专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

    网站导航 Datasheet资料库 电子术语 电子百科
    服务中心 常见问题 委托交易 会员服务
    关于我们 公司简介 联系我们 免责申明

    产品索引：ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789

    深圳网络警察报警平台 公共信息安全网络监察 经营性网站备案信息 不良信息举报中心 工商网监电子标识 全国公安机关备案
    服务电话：13715251531 ©2004-2025 IC37网 版权所有：ic37.com 版权申明 公网安备44030402000606 粤ICP备13051289号-6
     复制成功！