IMW120R140M1H 参数 Datasheet PDF下载

型号：	IMW120R140M1H
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内容描述：	[IMW120R140M1H是采用TO247-3封装的1200 V、140 mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET，它基于先进的沟槽半导体工艺，该工艺经过优化，兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统硅（Si）基开关相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200V级开关中最低的栅极电荷和器件电容电平、抗换向体二极管无反向恢复损耗、独立于温度的低开关损耗以及无阈值导通特性。因此，CoolSiC™ MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构，如功率因素校正（PFC）电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。]
分类和应用：	开关栅DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极半导体
文件页数/大小：	17 页 / 1172 K
品牌：	INFINEON [ Infineon ]

IMW120R140M1H

CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET

Electrical Characteristics

3.1

Static characteristics

Table 4

Static characteristics (at T_vj= 25°C, unless otherwise specified)

Parameter

Symbol Conditions

Value

Unit

min.

typ.

max.

Drain-source on-state

resistance

R_DS(on)

V_GS= 18V, I_D= 6A,

T_vj= 25°C

T_vj= 100°C

T_vj= 175°C

V_GS= 15V, I_D= 6A,

T_vj= 25°C

140

178

265

189

mΩ

180

239

Body diode forward

voltage

V_SD

V_GS= 0V, I_SD= 6A

T_vj= 25°C

T_vj= 100°C

T_vj= 175°C

4.1

4.0

3.9

5.2

Gate-source threshold

voltage

V_GS(th)

(tested after 1 ms pulse at

V_GS= 20V)

I_D= 2.5mA, V_DS= V_GS

T_vj= 25°C

T_vj=175°C

3.5

4.5

3.6

5.7

Zero gate voltage drain

current

I_DSS

V_GS= 0V, V_DS= 1200V

T_vj= 25°C

T_vj= 175°C

0.3

0.9

140

µA

Gate-source leakage

current

I_GSS

V_GS= 23V, V_DS= 0V

V_GS= -7V, V_DS= 0V

V_DS= 20V, I_D= 6A

f = 1MHz, V_AC= 25mV

100

-100

Transconductance

g_fs

Internal gate resistance

R_G,int

Datasheet

5 of 17

2.2

2020-12-11

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