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    IMW120R140M1H 参数 Datasheet PDF下载

    IMW120R140M1H图片预览
    型号： IMW120R140M1H
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    内容描述： [IMW120R140M1H是采用TO247-3封装的1200 V、140 mΩ CoolSiC™  SiC MOSFET，它基于先进的沟槽半导体工艺，该工艺经过优化，兼具性能与可靠性。 与IGBT和MOSFET等传统硅（Si）基开关相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200V级开关中最低的栅极电荷和器件电容电平、抗换向体二极管无反向恢复损耗、 独立于温度的低开关损耗以及无阈值导通特性。因此，CoolSiC™ MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构，如功率因素校正（PFC）电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。]
    分类和应用： 开关栅DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极半导体
    文件页数/大小： 17 页 / 1172 K
    品牌： INFINEON [ Infineon ]
     浏览型号IMW120R140M1H的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IMW120R140M1H的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IMW120R140M1H的Datasheet PDF文件第9页浏览型号IMW120R140M1H的Datasheet PDF文件第10页浏览型号IMW120R140M1H的Datasheet PDF文件第12页浏览型号IMW120R140M1H的Datasheet PDF文件第13页浏览型号IMW120R140M1H的Datasheet PDF文件第14页浏览型号IMW120R140M1H的Datasheet PDF文件第15页  
    IMW120R140M1H  
    CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET  
    Electrical characteristic diagrams  
    15  
    12  
    9
    15  
    VGS=18V  
    VGS=18V  
    VGS=15V  
    VGS=15V  
    12  
    9
    6
    6
    VGS=0V  
    VGS=0V  
    VGS=-2V  
    VGS=-2V  
    3
    3
    0
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    6
    VSD [V]  
    VSD [V]  
    Figure 14 Typical body diode forward current as  
    function of forward voltage, VGS as  
    parameter  
    Figure 13 Typical body diode forward current as  
    function of forward voltage, VGS as  
    parameter  
    (ISD = f(VSD), Tvj = 175°C, tP = 20µs)  
    (ISD = f(VSD), Tvj = 25°C, tP = 20µs)  
    200  
    250  
    Etot  
    Etot  
    Eon  
    Eon  
    200  
    Eoff  
    Eoff  
    150  
    150  
    100  
    50  
    100  
    50  
    0
    0
    25  
    75  
    125  
    Tvj [ C]  
    175  
    0
    2
    4
    6
    8
    10 12  
    ID [A]  
    Figure 16 Typical switching energy losses as a  
    function of drain-source current  
    (E = f(IDS), VDD = 800V, VGS = 0V/18V,  
    RG,ext = 2Ω, Tvj = 175°C, ind. load, test  
    circuit in Fig. E, diode: body diode at VGS  
    0V)  
    Figure 15 Typical switching energy losses as a  
    function of junction temperature  
    (E = f(Tvj), VDD = 800V, VGS = 0V/18V,  
    RG,ext = 2Ω, ID = 6A, ind. load, test circuit in  
    Fig. E, diode: body diode at VGS = 0V)  
    =
    Datasheet  
    11 of 17  
    2.2  
    2020-12-11  

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