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| 型号： | IMW120R140M1H |
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| 内容描述： | [IMW120R140M1H是采用TO247-3封装的1200 V、140 mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET，它基于先进的沟槽半导体工艺，该工艺经过优化，兼具性能与可靠性。 与IGBT和MOSFET等传统硅（Si）基开关相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200V级开关中最低的栅极电荷和器件电容电平、抗换向体二极管无反向恢复损耗、 独立于温度的低开关损耗以及无阈值导通特性。因此，CoolSiC™ MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构，如功率因素校正（PFC）电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。] |
| 分类和应用： | 开关栅DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极半导体 |
| 文件页数/大小： | 17 页 / 1172 K |
| 品牌： |  INFINEON [ Infineon ] |
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