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    2ED2110S06M 参数 Datasheet PDF下载

    2ED2110S06M图片预览
    型号： 2ED2110S06M
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    内容描述： [650 V high speed, high current high-side and low-side gate driver with typical 2.5 A source and sink currents in DSO-16 package for driving power MOSFETs and IGBTs.]
    分类和应用： 双极性晶体管
    文件页数/大小： 31 页 / 1407 K
    品牌： INFINEON [ Infineon ]
     浏览型号2ED2110S06M的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2ED2110S06M的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2ED2110S06M的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2ED2110S06M的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2ED2110S06M的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2ED2110S06M的Datasheet PDF文件第7页浏览型号2ED2110S06M的Datasheet PDF文件第8页浏览型号2ED2110S06M的Datasheet PDF文件第9页  
    2ED2110S06M  
    650 V high-side and low-side driver with integrated bootstrap diode  
    2
    Block diagram  
    VB  
    UV  
    DETECT  
    VDD  
    R
    Q
    HV  
    LEVEL  
    SHIFTER  
    R
    Q
    R
    S
    PULSE  
    FILTER  
    S
    HO  
    VDD/VCC  
    LEVEL  
    SHIFT  
    HIN  
    SD  
    PULSE  
    GENERATOR  
    VS  
    VCC  
    UV  
    DETECT  
    VDD/VCC  
    LEVEL  
    SHIFT  
    LIN  
    LO  
    S
    R
    Q
    DELAY  
    COM  
    VSS  
    Figure 2  
    Block diagrams  
    Datasheet  
    www.infineon.com/soi  
    4 of 31  
    V 2.5  
    2023-01-31  

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