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    2ED2110S06M 参数 Datasheet PDF下载

    2ED2110S06M图片预览
    型号： 2ED2110S06M
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    内容描述： [650 V high speed, high current high-side and low-side gate driver with typical 2.5 A source and sink currents in DSO-16 package for driving power MOSFETs and IGBTs.]
    分类和应用： 双极性晶体管
    文件页数/大小： 31 页 / 1407 K
    品牌： INFINEON [ Infineon ]
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    2ED2110S06M  
    650 V high-side and low-side driver with integrated bootstrap diode  
    Figure 27  
    Figure 28  
    Figure 29  
    Turn-On Rise Time  
    Turn-Off Fall Time  
    Logic “1” Input Threshold  
    Figure 30  
    Logic “0” Input Threshold  
    Datasheet  
    www.infineon.com/soi  
    21 of 31  
    V 2.5  
    2023-01-31  

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