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    2ED2110S06M 参数 Datasheet PDF下载

    2ED2110S06M图片预览
    型号： 2ED2110S06M
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    内容描述： [650 V high speed, high current high-side and low-side gate driver with typical 2.5 A source and sink currents in DSO-16 package for driving power MOSFETs and IGBTs.]
    分类和应用： 双极性晶体管
    文件页数/大小： 31 页 / 1407 K
    品牌： INFINEON [ Infineon ]
     浏览型号2ED2110S06M的Datasheet PDF文件第18页浏览型号2ED2110S06M的Datasheet PDF文件第19页浏览型号2ED2110S06M的Datasheet PDF文件第20页浏览型号2ED2110S06M的Datasheet PDF文件第21页浏览型号2ED2110S06M的Datasheet PDF文件第23页浏览型号2ED2110S06M的Datasheet PDF文件第24页浏览型号2ED2110S06M的Datasheet PDF文件第25页浏览型号2ED2110S06M的Datasheet PDF文件第26页  
    2ED2110S06M  
    650 V high-side and low-side driver with integrated bootstrap diode  
    IO=20mA  
    IO=20mA  
    Figure 31  
    Figure 32  
    Figure 33  
    High/Low Level Output Voltage  
    Offset Supply Leakage Current  
    VBS Supply Current  
    Figure 34  
    VCC Supply Current  
    Datasheet  
    www.infineon.com/soi  
    22 of 31  
    V 2.5  
    2023-01-31  

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