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    2ED2110S06M 参数 Datasheet PDF下载

    2ED2110S06M图片预览
    型号： 2ED2110S06M
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    内容描述： [650 V high speed, high current high-side and low-side gate driver with typical 2.5 A source and sink currents in DSO-16 package for driving power MOSFETs and IGBTs.]
    分类和应用： 双极性晶体管
    文件页数/大小： 31 页 / 1407 K
    品牌： INFINEON [ Infineon ]
     浏览型号2ED2110S06M的Datasheet PDF文件第21页浏览型号2ED2110S06M的Datasheet PDF文件第22页浏览型号2ED2110S06M的Datasheet PDF文件第23页浏览型号2ED2110S06M的Datasheet PDF文件第24页浏览型号2ED2110S06M的Datasheet PDF文件第26页浏览型号2ED2110S06M的Datasheet PDF文件第27页浏览型号2ED2110S06M的Datasheet PDF文件第28页浏览型号2ED2110S06M的Datasheet PDF文件第29页  
    2ED2110S06M  
    650 V high-side and low-side driver with integrated bootstrap diode  
    RGATE=5.3 Ω, VCC=15 V, CoolMOS™ IPN70R450P7S  
    *Charts generated by simulations  
    RGATE=5.3 Ω, VCC=15 V, CoolMOS™ IPS70R360P7S  
    Figure 43 TJ vs Frequency  
    *The negative VS is limited by the internal bootstrap diode, not by the technology  
    Figure 44  
    Negative VS vs VCC  
    Figure 45  
    Positive VSS vs VCC  
    Datasheet  
    www.infineon.com/soi  
    25 of 31  
    V 2.5  
    2023-01-31  

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