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    2ED2110S06M 参数 Datasheet PDF下载

    2ED2110S06M图片预览
    型号： 2ED2110S06M
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    内容描述： [650 V high speed, high current high-side and low-side gate driver with typical 2.5 A source and sink currents in DSO-16 package for driving power MOSFETs and IGBTs.]
    分类和应用： 双极性晶体管
    文件页数/大小： 31 页 / 1407 K
    品牌： INFINEON [ Infineon ]
     浏览型号2ED2110S06M的Datasheet PDF文件第19页浏览型号2ED2110S06M的Datasheet PDF文件第20页浏览型号2ED2110S06M的Datasheet PDF文件第21页浏览型号2ED2110S06M的Datasheet PDF文件第22页浏览型号2ED2110S06M的Datasheet PDF文件第24页浏览型号2ED2110S06M的Datasheet PDF文件第25页浏览型号2ED2110S06M的Datasheet PDF文件第26页浏览型号2ED2110S06M的Datasheet PDF文件第27页  
    2ED2110S06M  
    650 V high-side and low-side driver with integrated bootstrap diode  
    Figure 35  
    VDD Supply Current  
    Figure 36 Logic “1” Input Bias Current  
    Figure 37 Logic “0” Input Bias Current  
    Figure 38 VBS Undervoltage Lockout  
    Datasheet  
    www.infineon.com/soi  
    23 of 31  
    V 2.5  
    2023-01-31  

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