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    2ED2110S06M 参数 Datasheet PDF下载

    2ED2110S06M图片预览
    型号： 2ED2110S06M
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    内容描述： [650 V high speed, high current high-side and low-side gate driver with typical 2.5 A source and sink currents in DSO-16 package for driving power MOSFETs and IGBTs.]
    分类和应用： 双极性晶体管
    文件页数/大小： 31 页 / 1407 K
    品牌： INFINEON [ Infineon ]
     浏览型号2ED2110S06M的Datasheet PDF文件第16页浏览型号2ED2110S06M的Datasheet PDF文件第17页浏览型号2ED2110S06M的Datasheet PDF文件第18页浏览型号2ED2110S06M的Datasheet PDF文件第19页浏览型号2ED2110S06M的Datasheet PDF文件第21页浏览型号2ED2110S06M的Datasheet PDF文件第22页浏览型号2ED2110S06M的Datasheet PDF文件第23页浏览型号2ED2110S06M的Datasheet PDF文件第24页  
    2ED2110S06M  
    650 V high-side and low-side driver with integrated bootstrap diode  
    6
    Parameters Trend Charts  
    Figures illustrated in this chapter provide information on the experimental performance of the 2ED2110S06M.  
    The line plotted in each figure is generated from actual lab data unless otherwise specified. A large number of  
    individual samples were tested sweeping VDD, VBIAS and temperature in order to generate the experimental  
    curve. The individual data points on the Typ. curve were determined by calculating the averaged experimental  
    value of each parameter.  
    Figure 24  
    Turn-On Delay Time  
    Figure 25  
    Turn-Off Delay Time  
    Figure 26  
    SD Propagation Delay Time  
    Datasheet  
    www.infineon.com/soi  
    20 of 31  
    V 2.5  
    2023-01-31  

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