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    H27U4G8F2DTR-BC 参数 Datasheet PDF下载

    H27U4G8F2DTR-BC图片预览
    型号： H27U4G8F2DTR-BC
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 4千兆（ 512M ×8位）NAND闪存 [4 Gbit (512M x 8 bit) NAND Flash]
    分类和应用： 闪存
    文件页数/大小： 62 页 / 1015 K
    品牌： HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号H27U4G8F2DTR-BC的Datasheet PDF文件第40页浏览型号H27U4G8F2DTR-BC的Datasheet PDF文件第41页浏览型号H27U4G8F2DTR-BC的Datasheet PDF文件第42页浏览型号H27U4G8F2DTR-BC的Datasheet PDF文件第43页浏览型号H27U4G8F2DTR-BC的Datasheet PDF文件第45页浏览型号H27U4G8F2DTR-BC的Datasheet PDF文件第46页浏览型号H27U4G8F2DTR-BC的Datasheet PDF文件第47页浏览型号H27U4G8F2DTR-BC的Datasheet PDF文件第48页  
    APCPCWM_4828539:WP_0000001WP_0000001  
    1
    H27(U_S)4G8_6F2D  
    4 Gbit (512M x 8 bit) NAND Flash  
    Figure 22: Multiple plane copy back program (traditional protocol)  
    NOTE: the figure refers to x8 case. Please refer to Section 1.4 for address remapping rules for the x16 case  
    Rev 1.4 / OCT. 2010  
    44  
    B34416/177.179.157.84/2010-10-08 10:08  
    *ba53f20d-240c*  

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