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H27U4G8F2DTR-BC 参数 Datasheet PDF下载

H27U4G8F2DTR-BC图片预览

型号：	H27U4G8F2DTR-BC
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	4千兆（ 512M ×8位）NAND闪存 [4 Gbit (512M x 8 bit) NAND Flash]
分类和应用：	闪存
文件页数/大小：	62 页 / 1015 K
品牌：	HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]

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APCPCWM_4828539:WP_0000001WP_0000001

1

H27(U_S)4G8_6F2D

4 Gbit (512M x 8 bit) NAND Flash

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R2_BR3_B

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IEBSY

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BERS

SR[6]

Figure 26: Multiple plane block erase (ONFI 1.0 protocol)

NOTES:

R1_A-R3_ARow address for block on plane 0. R1_Ais the least significant byte.

R1_B-R3_BRow address for block on plane 1. R1_Bis the least significant byte.

Same restrictions on address of blocks on plane 0(A) and 1(B) and allowed commands as Figure 24 apply

Rev 1.4 / OCT. 2010

47

B34416/177.179.157.84/2010-10-08 10:08

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