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EN29SL800B-90MIP 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EN29SL800B-90MIP
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内容描述: 8兆位( 1024K ×8位/ 512K ×16位)闪存引导扇区快闪记忆体, CMOS 1.8伏只 [8 Megabit (1024K x 8-bit / 512K x 16-bit) Flash Memory Boot Sector Flash Memory, CMOS 1.8 Volt-only]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路
文件页数/大小: 43 页 / 337 K
品牌: EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
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EN29SL800  
AC CHARACTERISTICS  
Word / Byte Configuration (Byte#)  
(Ta = 0°C to 70°C or - 40°C to 85°C; VCC = 1.65-2.2V)  
Speed  
Unit  
Std  
Parameter  
Description  
-70  
0
-90  
0
tBCS  
Byte# to CE# switching setup time  
CE# to Byte# switching hold time  
RY/BY# to Byte# switching hold time  
Min  
Min  
Min  
ns  
ns  
ns  
tCBH  
0
0
0
0
tRBH  
CE#  
OE#  
Byte#  
tBCS  
tCBH  
Figure 3. Byte# timings for Read Operations  
CE#  
WE#  
Byte#  
tRBH  
tBCS  
RY/BY#  
Figure 4. Byte# timings for Write Operations  
Note: Switching BYTE# pin not allowed during embedded operations  
This Data Sheet may be revised by subsequent versions  
or modifications due to changes in technical specifications.  
©2004 Eon Silicon Solution, Inc., www.essi.com.tw  
27  
Rev. D, Issue Date: 2006/11/06  
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