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EN29SL800B-90MIP 参数 Datasheet PDF下载

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型号: EN29SL800B-90MIP
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内容描述: 8兆位( 1024K ×8位/ 512K ×16位)闪存引导扇区快闪记忆体, CMOS 1.8伏只 [8 Megabit (1024K x 8-bit / 512K x 16-bit) Flash Memory Boot Sector Flash Memory, CMOS 1.8 Volt-only]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路
文件页数/大小: 43 页 / 337 K
品牌: EON [ EON SILICON SOLUTION INC. ]
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EN29SL800  
Test Conditions  
Test Specifications  
Test Conditions  
Output Load  
-70  
-90  
Unit  
1 TTL gate  
Output Load Capacitance, CL  
Input Rise and Fall times  
Input Pulse Levels  
15  
5
100  
5
pF  
ns  
V
0.0-2.0  
0.0-2.0  
Input timing measurement  
reference levels  
Output timing measurement  
reference levels  
1/2 Vcc  
1/2 Vcc  
1/2 Vcc  
V
V
1/2 Vcc  
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or modifications due to changes in technical specifications.  
©2004 Eon Silicon Solution, Inc., www.essi.com.tw  
25  
Rev. D, Issue Date: 2006/11/06  
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