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    EDD1208ALTA-7A 参数 Datasheet PDF下载

    EDD1208ALTA-7A图片预览
    型号： EDD1208ALTA-7A
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    内容描述： 128 M位同步DRAM是双倍数据速率（ 4 -银行， SSTL_2 ） [128 M-bit Synchronous DRAM with Double Data Rate (4-bank, SSTL_2)]
    分类和应用： 存储内存集成电路光电二极管动态存储器双倍数据速率时钟
    文件页数/大小： 78 页 / 1650 K
    品牌： ELPIDA [ ELPIDA MEMORY ]
     浏览型号EDD1208ALTA-7A的Datasheet PDF文件第32页浏览型号EDD1208ALTA-7A的Datasheet PDF文件第33页浏览型号EDD1208ALTA-7A的Datasheet PDF文件第34页浏览型号EDD1208ALTA-7A的Datasheet PDF文件第35页浏览型号EDD1208ALTA-7A的Datasheet PDF文件第37页浏览型号EDD1208ALTA-7A的Datasheet PDF文件第38页浏览型号EDD1208ALTA-7A的Datasheet PDF文件第39页浏览型号EDD1208ALTA-7A的Datasheet PDF文件第40页  
    EDD1204ALTA, EDD1208ALTA, EDD1216ALTA  
    12.3 Terminating a Burst Write Cycle by Precharge Command  
    During a burst write cycle without auto precharge, the burst write operation is terminated by a precharge command  
    of the same banks. In order to write the last input data to the memory cell correctly, tWR (MIN.) must be satisfied. When  
    the precharge command is issued at the rising edge of the clock (CLK), the invalid data from the burst write cycle  
    must be masked by DM.  
    Burst length = 8  
    T0  
    T1  
    T2  
    T3  
    T4  
    T5  
    t
    WR  
    CLK  
    /CLK  
    CKE  
    /CAS latency = 2, 2.5  
    Command  
    WRITE  
    PRE  
    DQS  
    DQ  
    D1  
    D2  
    DM  
    36  
    Preliminary Data Sheet E0136E30  

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