欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

U631H16DC25G1 参数 Datasheet PDF下载

U631H16DC25G1图片预览
型号: U631H16DC25G1
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: [2KX8 NON-VOLATILE SRAM, 25ns, PDIP28, 0.300 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, DIP-28]
分类和应用: 静态存储器光电二极管内存集成电路
文件页数/大小: 12 页 / 208 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS ]
 浏览型号U631H16DC25G1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号U631H16DC25G1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号U631H16DC25G1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号U631H16DC25G1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号U631H16DC25G1的Datasheet PDF文件第7页浏览型号U631H16DC25G1的Datasheet PDF文件第8页浏览型号U631H16DC25G1的Datasheet PDF文件第9页浏览型号U631H16DC25G1的Datasheet PDF文件第10页  
U631H16  
Write Cycle #1: W-controlledj  
tcW  
(12)  
Address Valid  
tsu(E)  
Ai  
E
t
(17)  
h(A) (21)  
tsu(A-WH)  
(16)  
tw(W)  
(13)  
W
t
su(A) (15)  
tsu(D)  
th(D)  
(19)  
Input Data Valid  
ten(W)  
(20)  
DQi  
Input  
tdis(W)  
(22)  
(23)  
High Impedance  
DQi  
Previous Data Valid  
Output  
Write Cycle #2: E-controlledj  
tcW  
(12)  
Ai  
E
Address Valid  
t
su(A) (15)  
tw(E)  
th(A)  
(18)  
(21)  
tsu(W)  
(14)  
W
t
t
h(D) (20)  
su(D)(19)  
DQi  
Input  
Input Data Valid  
High Impedance  
DQi  
Output  
undefined  
L- to H-level  
H- to L-level  
i: If W is LOW and when E goes LOW, the outputs remain in the high impedance state.  
>
VIH during address transitions.  
j: E or W must be  
6
April 20, 2004  
 复制成功!