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10-FU094PB017ME02-L620F36 参数 Datasheet PDF下载

10-FU094PB017ME02-L620F36图片预览
型号: 10-FU094PB017ME02-L620F36
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内容描述: [High Blocking Voltage with low drain source on state resistance;High speed SiC-MOSFET technology;Resistant to Latch-up]
分类和应用:
文件页数/大小: 17 页 / 7449 K
品牌: VINCOTECH [ VINCOTECH ]
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10-FU094PB017ME02-L620F36  
datasheet  
H-Bridge Switch Characteristics  
figure 5.  
MOSFET  
figure 6.  
MOSFET  
Safe operating area  
Gate voltage vs gate charge  
ID = f(VDS  
)
VGS = f(Qg)  
1000  
17,5  
15,0  
12,5  
10,0  
7,5  
100  
10  
5,0  
1
2,5  
0,0  
0,1  
0,01  
-2,5  
-5,0  
1
10  
100  
1000  
10000  
0
20  
40  
60  
80  
100  
V
DS(V)  
Qg(μC)  
D =  
ID  
=
single pulse  
20  
25  
A
Ts =  
Tj =  
80  
15  
°C  
V
°C  
VGS  
=
Tj =  
Tjmax  
Copyright Vincotech  
7
03 Aug. 2021 / Revision 1  
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