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10-FU094PB017ME02-L620F36 参数 Datasheet PDF下载

10-FU094PB017ME02-L620F36图片预览
型号: 10-FU094PB017ME02-L620F36
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内容描述: [High Blocking Voltage with low drain source on state resistance;High speed SiC-MOSFET technology;Resistant to Latch-up]
分类和应用:
文件页数/大小: 17 页 / 7449 K
品牌: VINCOTECH [ VINCOTECH ]
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10-FU094PB017ME02-L620F36  
datasheet  
Characteristic Values  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Values  
Typ  
Unit  
VCE [V] IC [A]  
VDS [V] ID [A] Tj [°C]  
VF [V] IF [A]  
VGE [V]  
VGS [V]  
Min  
Max  
H-Bridge Switch  
Static  
25  
22  
26  
29  
26(1)  
rDS(on)  
Drain-source on-state resistance  
15  
60  
125  
150  
mΩ  
VGS(th)  
IGSS  
IDSS  
rg  
Gate-source threshold voltage  
Gate to Source Leakage Current  
Zero Gate Voltage Drain Current  
Internal gate resistance  
Gate charge  
0
0,015  
25  
25  
25  
1,7  
2,4  
30  
3,5  
750  
300  
V
15  
0
0
nA  
µA  
900  
400  
600  
3
1,57  
91,2  
22,5  
36  
Qg  
QGS  
QGD  
Ciss  
Coss  
Crss  
VSD  
Gate to source charge  
-4/15  
60  
25  
nC  
Gate to drain charge  
Short-circuit input capacitance  
Short-circuit output capacitance  
Reverse transfer capacitance  
Diode forward voltage  
1980  
180  
12  
f = 1 Mhz  
0
0
0
0
25  
25  
pF  
V
4,8  
Thermal  
λpaste = 3,4 W/mK  
(PSX)  
(2)  
Rth(j-s)  
Thermal resistance junction to sink  
0,94  
K/W  
Copyright Vincotech  
3
03 Aug. 2021 / Revision 1  
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