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10-FU094PB017ME02-L620F36 参数 Datasheet PDF下载

10-FU094PB017ME02-L620F36图片预览
型号: 10-FU094PB017ME02-L620F36
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内容描述: [High Blocking Voltage with low drain source on state resistance;High speed SiC-MOSFET technology;Resistant to Latch-up]
分类和应用:
文件页数/大小: 17 页 / 7449 K
品牌: VINCOTECH [ VINCOTECH ]
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10-FU094PB017ME02-L620F36  
datasheet  
Characteristic Values  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Values  
Typ  
Unit  
VCE [V] IC [A]  
VDS [V] ID [A] Tj [°C]  
VGE [V]  
VGS [V]  
Min  
Max  
VF [V]  
IF [A]  
Dynamic  
25  
15,2  
14,2  
td(on)  
Turn-on delay time  
125  
150  
25  
ns  
ns  
15,2  
6,8  
tr  
td(off)  
tf  
Rise time  
125  
150  
25  
6,2  
6,2  
Rgon = 2 Ω  
Rgoff = 2 Ω  
47,2  
Turn-off delay time  
125  
150  
25  
48,4  
ns  
46,8  
11,4  
Fall time  
125  
150  
25  
11,8  
ns  
10,2  
QrFWD=1,06 µC  
QrFWD=1,15 µC  
QrFWD=1,32 µC  
0,681  
0,607  
0,618  
0,153  
0,101  
0,095  
99,37  
115,43  
126,62  
18,2  
Eon  
Turn-on energy (per pulse)  
Turn-off energy (per pulse)  
Peak recovery current  
Reverse recovery time  
Recovered charge  
125  
150  
25  
mWs  
mWs  
A
Eoff  
-5/15  
600  
60  
125  
150  
25  
IRRM  
125  
150  
25  
trr  
125  
150  
25  
17,1  
ns  
17,9  
1,06  
di/dt=10218 A/µs  
di/dt=11319 A/µs  
di/dt=11508 A/µs  
Qr  
125  
150  
25  
1,15  
μC  
1,32  
0,07  
Erec  
Reverse recovered energy  
Peak rate of fall of recovery current  
125  
150  
25  
0,07  
mWs  
A/µs  
0,12  
18427  
26726  
30513  
(dirf/dt)max  
125  
150  
Copyright Vincotech  
4
03 Aug. 2021 / Revision 1  
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