欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

K6F4008U2E-EF55 参数 Datasheet PDF下载

K6F4008U2E-EF55图片预览
型号: K6F4008U2E-EF55
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 512K ×8位超低功耗和低电压全CMOS静态RAM [512K x 8 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 9 页 / 112 K
品牌: SAMSUNG [ SAMSUNG ]
 浏览型号K6F4008U2E-EF55的Datasheet PDF文件第1页浏览型号K6F4008U2E-EF55的Datasheet PDF文件第2页浏览型号K6F4008U2E-EF55的Datasheet PDF文件第3页浏览型号K6F4008U2E-EF55的Datasheet PDF文件第4页浏览型号K6F4008U2E-EF55的Datasheet PDF文件第5页浏览型号K6F4008U2E-EF55的Datasheet PDF文件第6页浏览型号K6F4008U2E-EF55的Datasheet PDF文件第7页浏览型号K6F4008U2E-EF55的Datasheet PDF文件第8页  
K6F4008U2E Family  
CMOS SRAM  
Units: millimeters  
PACKAGE DIMENSIONS  
48(36) TAPE BALL GRID ARRAY(0.75mm ball pitch)  
Top View  
B
Bottom View  
A1 INDEX MARK  
0.65  
B
B1  
0.65  
6
5
4
3
2
1
A
B
#A1  
C
D
E
F
G
H
B/2  
Detail A  
A
Side View  
D
Y
C
Min  
Typ  
0.75  
6.00  
3.75  
7.00  
5.25  
0.45  
0.90  
0.55  
0.35  
-
Max  
-
A
B
-
5.90  
-
Notes.  
6.10  
-
1. Bump counts: 48(8 row x 6 column)  
2. Bump pitch: (x,y)=(0.75 x 0.75)(typ.)  
3. All tolerence are +/-0.050 unless  
otherwise specified.  
B1  
C
6.90  
-
7.10  
-
C1  
D
4. Typ: Typical  
0.40  
0.80  
-
0.50  
1.00  
-
5. Y is coplanarity: 0.08(Max)  
E
E1  
E2  
Y
0.30  
-
0.40  
0.08  
Revision 1.0  
March 2001  
- 9 -  
 复制成功!